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Halbleiterdiode

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  Die Diode 


  Anwendungsgebiete: 

  - Einsatz in Gleichrichtern
  - Einsatz in Demodulatorschaltungen zur Gleichrichtung des HF-Anteils [Hüllkurve]
  - Einsatz in Spannungsvervielfacherschaltungen [z.B. Kaskadeschaltungen]

  Aufbau und Temperaturverhalten einer Diode:

  Eine Diode besteht im wesentlichen aus zwei unterschiedlich dotierten Halbleiterschichten.
  Ein Bereich ist negativ dotiert, während der andere positiv dotiert ist. Beide Bereiche stehen
  miteinander in Kontakt. Aufgrund der immer vorhandenen Temperaturbewegung der
  Gitterbausteine des Halbleiterkristalls wandern positive Ladungsträgerin in den neg dotierten
  Bereich, während negative Ladungsträger in den pos. dotierten Bereich wandern. Diesen
  Ausgleichsvorgang nennt man Diffusion, dass durch sie entstandene Feld - Diffusionsfeld.
  Zwischen beiden Bereichen befindet sich nun eine ladungsträgerfreie Zone - die Sperrschicht.

  Wirkungsweise einer Diode:

  Vorwärtsrichtung (Durchlassrichtung):

  Beim Anlegen einer Spannungsquelle (Pluspol an P-Bereich, Minuspol an N-Bereich) 
  wird die Diode leitend geschaltet. Voraussetzung hierfür ist, dass mindestens eine
  Spannung von 0,3...0,4V (Germanium) oder 0,6...0,7V (Silizium) anliegt. Diese ist zur
  Überbrückung des inneren Diffusionsfeldes notwendig (bzw. zur Überwindung der inneren
  Diffusionsspannung).

  Rückwärtsrichtung (Sperrrichtung):

  Beim Anlegen einer Spannungsquelle (Pluspol an N-Bereich, Minuspol an P-Bereich)
  wird die Diode in Sperrrichtung geschaltet. Mit steigender Sperrspannung verbreitert
  sich die innere Sperrschicht. Man sollte allerdings beachten, dass die in Rückwärtsrichtung
  angelegte Spannung einen Höchstwert UR max nicht überschreiten darf, sonst wird die
  Diode zerstört.

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