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Emitterschaltung 1

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  Die Emitterschaltung - Erläuterung, Aufbau, Berechnung und Simulation...
 

Grundlegende Eigenschaften einer Emitterschaltung:

- mittlerer Eingangswiderstand re (z.B. 10K)

- mittlerer Ausgangswiderstand ra (z.B. 10K)

- große Stromverstärkung ß ca. 100...1000

- große Spannungsverstärkung ca. 100...1000

- sehr große Leistungsverstärkung 

- mittlere obere Grenzfrequenz ca. 10MHz  /Quelle: Uni-Bremen

- Phasenverschiebung von 180 Grad zwischen Ua und Ue

  Anwendungsgebiete: NF- u. Hf-Verstärker, Leistungsverstärker und Schaltstufen 

  Die Verschaltung im Emitterkreis (Gegenkopplungszweig) ist von mir bewusst gewählt worden.
  Infolge des geteilten Emitterwiderstandes ergeben sich zwei verschiedene Verstärkungen:
  Die Gleichspannungsverstärkung A= und die Wechselspannungsverstärkung A~. 
  Eine größere Gegenkopplung durch die Widerstände Re1 und Re2 bewirkt bei niedrigen
  Frequenzen eine geringere Verstärkung für Gleichspannungen. Der Arbeitspunkt verschiebt sich
  deshalb temperaturbedingt nur minimal. Die Basis-Emitter-Spannung ändert sich temperaturbedingt
  um ca. -2mV/K.

  Vorteil dieser Schaltungsvariante: gute Temperaturstabilität, geringer Klirrfaktor, erhöhter Eingangswiderstand

  Nachteil: eingeengter Aussteuerungsbereich, geringere Spannungsverstärkung

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