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Emitterschaltung 1b

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  Betrachtet man das Schaltbild, so lässt sich folgendes über die Bauelemente sagen:

  1) Der Spannungsteiler aus R1 und R2 wird zur Arbeitspunkteinstellung verwendet.

  2) Ein Querstrom IR2 = 10 * IB bewirkt eine "nahezu" temperaturunabhängige   
      Basis-Vorspannung

  3) Re1 und Re2 dienen der Stromgegenkopplung und bewirken eine verbesserte
      Temperaturstabilität, einen geringeren Klirrfaktor und einen höheren Eingangswiderstand

  4) Die Kondensatoren C1 und C2 dienen der gleichspannungsmäßigen Entkopplung.
      Der Emitterkondensator Ce bewirkt eine höhere Wechselspannungsverstärkung
      und "überbrückt" Re im Nutzfrequenzbereich.

  5) Der Widerstand Rc dient in Verbindung mit Re zur Festlegung der Verstärkung und
      legt die Größe des Ausgangswiderstandes ra fest.
      (vorausgesetzt rce ist sehr groß - diese Bedingung ist oftmals erfüllt!)
      Ein Lastwiderstand RL wirkt wie eine Parallelschaltung aus Rc und RL.

  Nachdem die grundlegenden Eigenschaften der Bauelemente erläutert wurden,
  sollte man sich überlegen, wie z.B. eine Temperaturstabilisierung funktioniert.

  Man bildet dazu eine so genannte Kausalkette:

  z.B. Temperatur steigt ---> IB steigt ---> Ic steigt ---> Uc wird kleiner ---> URE steigt
  ---> UBE  wird kleiner  ---> IB sinkt ---> IC sinkt ---> Uc steigt

  Maschengleichung:

  - UR2 + UBE +URe = 0 => UBE = UR2 - URe

  Nach diesen Vorüberlegungen kann man sich nun überlegen, welche Schritte notwendig
  sind, um eine Transistorstufe vollständig zu dimensionieren. Die nachfolgenden
  Rechenschritte beziehen sich auf die bereits vorgegebene Emitterschaltung. Es geht mir
  bei diesem Beispiel lediglich um die generelle Vorgehensweise.

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