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Kapazitätsdiode

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  Die Kapazitätsdiode (Variocap-Diode)

  Um die Wirkungsweise einer Kapazitätsdiode zu verstehen, muss man erst einmal
  das Prinzip einer Halbleiterdiode kennen lernen. Diese besteht aus zwei unterschiedlich
  dotierten Halbleiterschichten. Einer p- und n- dotierten Schicht. Dotierung bedeutet
  hierbei ein Einbringen von Fremdatomen in das Kristallgitter der jeweiligen Schicht.
  Beide Schichten liegen einander gegenüber und bilden einen PN- Übergang.
  Durch die ständig vorhandene Umgebungstemperatur beginnen die Ladungsträger
  (Elektronen und Löcher) eine Wanderung in den jeweils gegenüberliegenden Bereich.

  Die Teilchenbewegung bleibt solange erhalten, bis sich ein Gleichgewicht zwischen
  beiden Schichten einstellt. Die sich dabei ausbildende ladungsträgerfreie Zone bezeichnet
  man als Sperrschicht. Beim Einsatz von Dioden unterscheidet man zwei Schaltrichtungen;
  die Durchlassrichtung und die Sperrrichtung. In Durchlassrichtung wird die Diode erst
  ab einer Spannung von 0,7V (Silizium) leitend. Das ist die Spannung bei der man die
  innere Sperrschicht überwindet. In Sperrrichtung weist die Diode einen relativ hohen
  Widerstand auf. Man sollte allerdings nicht die max. Sperrspannung überschreiten.

 - um zur Kapazitätsdiode zurückzukommen: 

  Man nutzt hier die Spannungsabhängigkeit der inneren Sperrschicht aus .Umso höher
  die angelegte Rückwärtsspannung UR ist desto größer wird die Sperrschicht desto
  kleiner die Kapazität der Diode. Man nutzt diesen Effekt zum Abstimmen von
  Schwingkreisen aus. Dioden, deren Kapazität über einen großen Bereich einstellbar ist,
  werden auch als Tunerdioden (Großhubdioden) bezeichnet. Da die Kennlinie einer solchen
  Diode nichtlinear ist , werden zwei Dioden entgegengesetzt in Reihe geschaltet. So lassen
  sich Verzerrungen im HF-Bereich vermindern.

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